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• 支持组件数据表中定义的 DDR4 功能和操作
• 288 针双列直插式内存模块 (UDIMM)
• 数据传输速率：2666Mbps（最大值）
• 4GB、8GB、16GB
• VDD=1.20V(标称)
• VPP=2.5V(标称)
• VDDSPD=2.5V(标称)
• 用于数据、选通和屏蔽信号的标称和动态片上终端 (ODT)
• 低功耗自动自刷新（LPASR）
• 数据总线的数据总线反转（DBI）
• 片上 VREFDQ 生成和校准
• 板载 I 2C 串行存在检测 (SPD) EEPROM
• 16 个内部银行； 4 组，每组 4 个库
• 通过模式寄存器组 (MRS) 固定突发斩波 (BC) 为 4 和突发长度 (BL) 为 8
• 可选择的 BC4 或 BL8 on-the-fly (OTF)
• 金边触点
• 无卤素
• Fly-by 拓扑
• 终止控制命令和地址总线
• 商用（0°C≤ TOPER ≤ 85°C）
• 0.75ns@CL=19(DDR4-2666
• JEDEC 标准 1.2V ± 0.06V 电源
• VDDQ = 1.2V ± 0.06V
• 800 MHz fCK for 1600Mb/sec/pin, 933 MHz fCK for 1866Mb/sec/pin, 1067MHz fCK for 2133Mb/sec/pin, 1200MHz fCK for 2400Mb/sec/pin, 1333MHz fCK for 2666Mb/sec/pin
• 16 个银行（4 个银行组）
• 可编程 CAS 延迟：10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20
• 可编程附加延迟（发布的 CAS）：0、CL - 2 或 CL - 1 时钟
• 可编程 CAS 写入延迟 (CWL) = 9,11 (DDR4-1600)、10,12 (DDR4-1866)、11,14 (DDR4-2133)、12,16 (DDR4-2400) 和 14,18 (DDR4 - 2666)
• 突发长度：8、4，tCCD = 4，不允许无缝读取或写入[使用 A12 或 MRS 在运行中]
• 双向差分数据选通
• 使用 ODT 引脚在芯片端接
• 平均刷新周期在低于 TCASE 85℃时为 7.8us，在 85°C < TOPER ≤ 95°C 时为 3.9us。
• 异步复位
